LED用襯底材料是LED芯片制造中的關鍵材料,其質量直接影響到LED器件的性能。目前,主要襯底材料包括藍寶石(Al?O?)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等。近年來,隨著LED技術的發展,對襯底材料的要求不斷提高,如更高的熱導率、更低的缺陷密度等。目前,通過改進生長工藝和優化材料配方,襯底材料的性能得到了顯著提升。同時,隨著Mini LED和Micro LED技術的興起,對襯底材料的需求更加多樣化,促進了新材料的研發。
未來,LED用襯底材料是LED芯片制造中的關鍵材料,其質量直接影響到LED器件的性能。目前,主要襯底材料包括藍寶石(Al?O?)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等。近年來,隨著LED技術的發展,對襯底材料的要求不斷提高,如更高的熱導率、更低的缺陷密度等。目前,通過改進生長工藝和優化材料配方,襯底材料的性能得到了顯著提升。同時,隨著Mini LED和Micro LED技術的興起,對襯底材料的需求更加多樣化,促進了新材料的研發。
第一章 半導體照明(LED)產業概述
1.1 全球LED產業現狀與發展
1.1.1 全球半導體照明產業發展現狀
1.1.2 全球半導體照明市場基本格局
1.1.3 全球半導體照明產業重點區域及企業現狀
1.2 中國LED產業現狀與發展
1.2.1 中國LED產業發展現狀
1.2.2 中國半導體照明產業快速增長
1.2.3 中國LED照明企業的發展特征
1.2.4 中國半導體照明產業的發展優勢
1.3 中國LED市場現狀
1.3.1 中國半導體照明產業的市場格局
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1.3.2 中國半導體照明產業的區域分布
1.3.3 全國主要半導體產業基地及潛力點
1.4 半導體照明產業鏈的重要環節
1.4.1 半導體照明產業鏈概述
1.4.2 上游環節產業鏈
1.4.3 中游環節(芯片制備)產業鏈
1.4.4 下游環節(封裝和應用)產業鏈
第二章 LED用襯底材料的相關概述
2.1 LED外延片基本概述
2.2 紅黃光LED襯底
2.3 藍綠光LED襯底
第三章 藍寶石襯底
3.1 藍寶石襯底的概述
3.1.1 藍寶石襯底材料的介紹
3.1.2 外延片廠商對藍寶石襯底的要求
3.1.3 藍寶石生產設備的情況
3.1.4 藍寶石晶體工藝介紹
3.2 藍寶石襯底材料市場分析
3.2.1 全球藍寶石材料市場概述
3.2.2 國內的技術現狀
3.2.3 我國存在的困境分析
3.3 藍寶石項目生產概況
3.3.1 原料
3.3.2 生產線設備
3.3.3 2009-2010年國內寶藍石材料項目介紹
3.4 市場對藍寶石襯底的需求分析
3.4.1 民用半導體照明領域對藍寶石材料的需求分析
3.4.2 民用航空領域對藍寶石襯底的需求分析
3.4.3 軍工領域對藍寶石材料的需求分析
2011 LED substrate material for industry research and analysis report
3.4.4 其他領域對藍寶石材料的需求分析
3.5 藍寶石襯底材料的發展前景
3.5.1 2011年全球LED藍寶石襯底的需求預測分析
3.5.2 2012年藍寶石襯底市場發展前景
3.5.3 藍寶石襯底材料的發展趨勢
第四章 硅襯底
4.1 半導體硅材料的概述
4.1.1 半導體硅材料的電性能特點
4.1.2 半導體硅材料的制備
4.1.3 半導體硅材料的加工
4.1.4 半導體硅材料的主要性能參數
4.2 硅襯底LED芯片主要制造工藝的綜述
4.2.1 Si襯底LED芯片的制造
4.2.2 Si襯底LED封裝的技術
4.2.3 硅襯底LED芯片的測試結果
4.3 硅襯底上GAN基LED的研究進展
4.3.1 用硅作GaN LED襯底的優缺點
4.3.2 硅作GaN LED襯底的緩沖層技術
4.3.3 硅襯底的LED器件
第五章 碳化硅襯底
5.1 碳化硅襯底的介紹
5.1.1 碳化硅的性能及用途
5.1.2 LED碳化硅襯底的基礎概要
5.2 SIC半導體材料研究的闡述
5.2.1 SiC半導體材料的結構
5.2.2 SiC半導體材料的性能
5.2.3 SiC半導體材料的制備方法
5.2.4 SiC半導體材料的應用
5.3 SIC單晶片CMP超精密加工的技術分析
2011年中國LED用襯底材料行業調研及發展分析報告
5.3.1 SiC單晶片超精密加工的發展
5.3.2 SiC單晶片的CMP技術的原理
5.3.3 SiC單晶片CMP磨削材料去除速率
5.3.4 SiC單晶片CMP磨削表面質量
5.3.5 CMP的影響因素分析
5.3.6 SiC單晶片CMP拋光存在的不足
5.3.7 SiC單晶片的CMP的趨勢
第六章 砷化鎵襯底
6.1 砷化鎵的介紹
6.1.1 砷化鎵的定義及屬性
6.1.2 砷化鎵材料的分類
6.2 砷化鎵在光電子領域的應用
6.2.1 砷化鎵在LED方面的需求市場
6.2.2 我國LED方面砷化鎵的應用
6.3 砷化鎵襯底材料的發展
6.3.1 國外砷化鎵材料技術的發展
6.3.2 國內砷化鎵材料技術的發展
6.3.3 國內砷化鎵材料主要生產廠家的情況
6.3.4 砷化鎵外延襯底市場規模預測分析
第七章 其他襯底材料
7.1 氧化鋅
7.1.1 氧化鋅的定義
7.1.2 氧化鋅的物理及化學性質
7.2 氮化鎵
7.2.1 氮化鎵的介紹
7.2.2 GaN材料的特性
2011 nián zhōngguó led yòng chèn dǐ cáiliào hángyè diàoyán jí fāzhǎn fēnxī bàogào
7.2.3 GaN材料的應用
7.2.4 氮化鎵材料的應用前景廣闊
第八章 重點企業
8.1 國外主要企業
8.1.1 京瓷(Kyocera)
8.1.2 Namiki
8.1.3 Rubicon
8.1.4 Monocrystal
8.1.5 CREE
8.2 中國臺灣主要企業
8.2.1 中國臺灣越峰電子材料股份有限公司
8.2.2 中國臺灣中美硅晶制品股份有限公司
8.2.3 中國臺灣合晶科技股份有限公司
8.2.4 中國臺灣鑫晶鉆科技股份有限公司
8.3 中國大陸主要企業
8.3.1 哈爾濱工大奧瑞德光電技術有限公司
8.3.2 云南省玉溪市藍晶科技有限責任公司
8.3.3 成都聚能光學晶體有限公司
8.3.4 青島嘉星晶電科技股份有限公司
8.3.5 愛彼斯通半導體材料有限公司
第九章 中^智^林^ 投資分析
9.1 2011-2012年將是LED照明產業最佳投資時期
9.2 LED行業上游投資風險分析
圖表目錄
圖表 國際主要LED企業競爭格局
圖表 2009年國內LED產量、芯片產量及芯片國產率情況
圖表 2003-2009年我國LED封裝市場規模增長情況
圖表 2009年國內主要LED芯片企業銷售額及市場比重情況
業界研究や分析レポート2011年のLED基板材料
圖表 第三類企業的發展運作模式
圖表 國際大部分著名LED企業遵循的發展模式
圖表 使用藍寶石襯底做成的LED芯片示例
圖表 藍寶石生產線設備明細
圖表 三種襯底性能比較
圖表 藍寶石供應商所占市場份額
圖表 2006-2013年全球LED市場及預測分析
圖表 晶格結構示意圖
圖表 晶向示意圖
圖表 Si襯底GaN基礎結構圖
圖表 封裝結構圖
圖表 SiC其它的優良特性
圖表 SiC單晶片CMP示意圖
圖表 砷化鎵基本屬性
圖表 GaAs晶體生長的各種方法的分類
圖表 LED發光亮度
圖表 我國砷化鎵在高亮度LED應用市場構成
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